
IT之家 2 月 28 日消息,国家格监格持国家发改委价格监测中心发文称 ,发改2025 年 9 月至今 ,测中储芯定制开发 小程序受需求“爆发式”增长 、心存续上向下产能“断崖式”紧缺等因素影响,涨并全球存储器市场缺口扩大,游传存储芯片价格持续上涨,国家格监格持近 1 个月多以来,发改涨幅呈现扩大态势,测中储芯建议关注存储芯片对下游价格的心存续上向下影响 。调研反映,涨并定制开发 小程序截至今年 1 月,游传存储芯片两大主要产品 DRAM 和 NAND 闪存价格均创 2016 年有数据以来最高 。国家格监格持
IT之家从数据中获悉,发改以主流型号为例 ,测中储芯1 月 DARM(DDR4 8Gb 1G*8)合约平均价格为 11.5 美元,比上月上涨约 24%,比 2025 年 9 月上涨约 83%;NAND 闪存(128Gb 16G*8 MLC)合约平均价格为 9.5 美元 ,比上月上涨约 65% ,比 2025 年 9 月上涨近 1.5 倍。

国家发改委价格监测中心还表示,当前,存储芯片正处于上涨周期 。年内来看 ,在 AI 服务器算力需求持续增长的带动下 ,全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续